講演情報
[15a-K403-9]β-Ga2O3 FinFETによるパワーFOM 1.23 GW/cm2の実証
〇脇本 大樹1、林 家弘1、江間 研太郎1、上田 悠貴1、宮本 広信1、佐々木 公平1、倉又 朗人1 (1.ノベルクリスタル)
キーワード：
ベータ酸化ガリウム、縦型MOSトランジスタ、パワーフィギュアオブメリット
今回、ゲート端部に工夫を施したβ-Ga2O3マルチFinFETを作製し、β-Ga2O3 FETにおけるpower figure of meritの世界最高値1.23 GW/cm2を達成したので報告する。FinFETはドナー濃度7.5×1015 cm-3、膜厚55 µmのエピウエハを用いて作製し、しきい値は+1.1 V、最大電流密度は217 A/cm2、特性オン抵抗は21.6 mΩ･cm2、耐圧は5150 Vであった。なお、電流密度及び特性オン抵抗はソース電極面積(50 µm×60 µm)で規格化した値である。