講演情報
[15a-K404-5]一定終状態光電子収量分光法によるSiO2ゲート絶縁膜のギャップ内準位の観測
〇渋谷 連二郎1、館農 真斗2、深川 弘彦3、石井 久夫1,2,3,4 (1.千葉大工、2.千葉大融合理工、3.千葉大先進、4.千葉大 MCRC)
キーワード：
光電子分光、ゲート絶縁膜、二酸化ケイ素
SiO2ゲート絶縁膜のギャップ内準位を光電子分光を用いて測定した。電子状態の評価としては紫外光電子分光を用いることが一般的だが、特に実用デバイスでの厚みのSiO2に関しては試料帯電の影響を受けやすく、従来の方法での測定は困難であった。そこで我々は低迷光・低エネルギー光を光源に用いて、SiO2100nmの実際の電子状態の観測を試みた。また、試料に電子ビームを当てて帯電前後の電子状態を測定し、電子トラップに関しても観測を試みた。