[15a-K406-1~11] KS.2 量子情報工学研究会

9:00 〜 9:15

[15a-K406-1] [第57回講演奨励賞受賞記念講演] 量子ビット応用に向けたsidewall spacer構造を有するフルエピタキシャルNbN/AlN/NbNジョセフソン接合

〇本田 浩輝¹、栗原 大輝¹、Pham Duong¹、沓間 弘樹¹、寺井 弘高²、山下 太郎¹ (1.東北大院工、2.情通機構)

キーワード：

超伝導量子ビット、sidewall spacer構造、NbN/AlN/NbN接合

フルエピタキシャル成長したNbNジョセフソン接合を用いた量子ビットは，結晶化した絶縁層により欠陥二準位系の低減が期待されているが，複雑な素子作製プロセスにより本来のコヒーレンス特性が抑制されている可能性がある．本研究では，従来プロセスに比べて，損失源となるSiO₂エッチング残渣が生じにくいsidewall spacer構造を有するNbN/AlN/NbN接合の作製を行った．