講演情報
[15a-K406-11]Al薄膜を用いたコプレーナ導波路型共振器と蒸着レートによる膜質の違いの関連性
〇新倉 裕磨1,2、朝永 顕成1、浦出 芳郎1、藤田 裕一1、猪股 邦宏1 (1.産総研、2.中大理工)
キーワード：
超伝導量子回路
Al薄膜の蒸着レートおよびウェハの面方位による膜質の違いとコプレーナ導波路型共振器の性能の関連について調べた。Si(111)面およびSi(100)面のウェハ上に、電子線蒸着を用いて蒸着レートの異なるAl薄膜を作成しそれを用いてコプレーナ導波路型共振器を作成した。希釈冷凍機を用いた10mKでのS21測定の結果から、金属薄膜の膜質による内部Q値の共振器中の平均光子数依存性を明らかにした。