[15a-K503-1~9] 6.1 強誘電体薄膜

9:45 〜 10:00

[15a-K503-4] 薄膜化した (Al_1-xSc_x)N膜における結晶性・強誘電特性のSc組成比依存性

〇(D)道古 宗俊^1,2、松井 尚子¹、入澤 寿和¹、恒川 孝二¹、Nana Sun²、中村 美子²、岡本 一輝²、舟窪 浩² (1.キヤノンアネルバ、2.東京科学大)

キーワード：

AlScN、FeRAM、強誘電体薄膜

優れた強誘電特性を示す (Al_1-xSc_x)N膜は、強誘電体メモリ (FeRAM) 向け材料として研究されている。(Al_1-xSc_x)N膜をFeRAMへ適用するには、素子全体の薄膜化が重要となる。これまで我々は、Pt下部電極と (Al_0.9Sc_0.1)N膜をトータル35 nmまで薄膜化に成功した。今回、(Al_1-xSc_x)N膜を薄膜化したサンプルにおける、結晶性・強誘電特性に対するSc組成比依存性評価を行った。