セッション詳細
[15a-K503-1~9]6.1 強誘電体薄膜
2025年3月15日(土) 9:00 〜 11:15
K503 (講義棟)
[15a-K503-1](Al,Sc)N強誘電体薄膜におけるスイッチング特性の結晶構造依存性
〇(M1)河野 駿平1、岡本 一輝1、影山 壮太郎1、孫 納納1、安岡 慎之介1、舟窪 浩1 (1.東京科学大学)
[15a-K503-2]Effects of thickness scaling on switching kinetics in (Al,Sc)N ferroelectric films
〇(P)Nana Sun1, Kazuki Okamoto1, Soshun Doko1,2, Naoko Matsui2, Toshikazu Irisawa2, Koji Tsunekawa2, Hiroshi Funakubo1 (1.Science Tokyo, 2.Canon ANELVA)
[15a-K503-3]Switching kinetics in wurtzite Zn(Ce,Mn)O ferroelectric films
〇(P)Nana Sun1, Atsuhiro Tamai2, Kazuki Okamoto1, Hideaki Adachi2, Isaku Kanno2, Hiroshi Funakubo1 (1.Science Tokyo, 2.Kobe Univ.)
[15a-K503-4]薄膜化した (Al1-xScx)N膜における結晶性・強誘電特性のSc組成比依存性
〇(D)道古 宗俊1,2、松井 尚子1、入澤 寿和1、恒川 孝二1、Nana Sun2、中村 美子2、岡本 一輝2、舟窪 浩2 (1.キヤノンアネルバ、2.東京科学大)
[15a-K503-5]AlScN薄膜のITO透明電極上へのエピタキシャル成長と極性のSc量依存性
〇(M1)劉 センコン1、安部 琴子1、Yuan Xueyou1、岡本 一輝2、舟窪 浩2、山田 智明1,3 (1.名大工、2.東京科学大、3.東京科学大MDX)
[15a-K503-6]マスクレスコンビナトリアルPLD法によるSc添加AlN薄膜の作製とその特性評価
〇(M1)三高 大陽1、Yuan Xueyou1、山田 智明1,2 (1.名大工、2.東京科学大MDX)
[15a-K503-7]ウルツ鉱構造(Mg,Si)N-AlN固溶体薄膜の作製と評価
〇影山 壮太郎1、岡本 一輝1、平永 良臣2、舟窪 浩1 (1.東京科学大、2.東北大)
[15a-K503-8]La置換ZnO薄膜の作製とその強誘電性評価
〇吉野 雄大1、玉井 敦大1、何 京瑋1、權 相曉1、足立 秀明1、神野 伊策1 (1.神戸大工)
[15a-K503-9]転写技術を用いた高次モードSc0.4Al0.6N分極反転2層SMR
〇鈴木 菜々海1,2、下山 航1,2、柳谷 隆彦1,2 (1.早大先進理工、2.材料技術研究所)