講演情報
[15a-K504-3]磁場変調テラヘルツエリプソメトリによる半導体薄膜の電気的特性評価
〇岡本 章宏1、永井 正也1、芦田 昌明1 (1.阪大院基礎工)
キーワード：
半導体、エリプソメトリ
テラヘルツ時間領域エリプソメトリは、半導体バルクおよび薄膜材料の電気的特性を非破壊かつ非接触で評価できる手法である。さらには、磁気光学を組み合わせることで、キャリアのタイプやキャリアの有効質量と密度とを独立に評価することができる。本研究では、磁場変調技術をこの手法に適用し、薄膜の誘電応答は基板上の表面電流とみなす伝導薄膜モデルから半導体薄膜の伝導パラメータを高精度で決定する実証実験を行った。