セッション詳細
[15a-K509-1~6]13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション
2025年3月15日(土) 10:00 〜 11:30
K509 (講義棟)
[15a-K509-1]実験室系HAXPESを用いた電圧印加オペランド測定のMOS構造における不純物濃度依存性の解析
〇箕輪 卓哉1、臼田 宏冶2、横川 凌2,3,4、小椋 厚志1,2 (1.明治大理工、2.明治大MREL、3.広島大RISE、4.広島大院先進理工)
[15a-K509-2]3次元フラッシュメモリ製造におけるRapid Thermal Annealを活用したウェハ反り制御技術の現象モデル化
〇田中 拓人1、田渕 統士1、土屋 隆紀1、松村 明1、山脇 秀之1 (1.キオクシア株式会社)
[15a-K509-3]二段階堆積法を用いたSi(100)基板上への強誘電性HfNx薄膜の形成に関する検討
〇濱田 海夢1、Li Kangbai1、大見 俊一郎1 (1.科学大工)
[15a-K509-4]スピンコート中の液膜流れの効率的予測法
〇(M1)山岡 晃太朗1、澤田 康一2、高嶋 太一2、髙木 義徳2、佐野 雄大3、猿渡 健2、池内 崇3、白鳥 英1 (1.都市大、2.株式会社SCREENホールディングス、3.株式会社SCREENアドバンストシステムソリューションズ)
[15a-K509-5]機械学習力場MDを用いたa-Al2O3/GaN界面の欠陥状態解析
〇佐藤 昂輝1、上沼 睦典2、陣内 亮典1、旭 良司1 (1.名大工、2.産総研)
[15a-K509-6]反応性分子動力学によるIV族半導体基板の酸化機構の解析
〇(M2)関口 賢太1,2、大堀 大介2、遠藤 和彦2、徳増 崇2 (1.東北大院工、2.東北大流体研)