セッション詳細
[15a-K509-1~6]13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション
2025年3月15日(土) 10:00 〜 11:30
K509 (講義棟)
蓮沼 隆(筑波大)
[15a-K509-1]実験室系HAXPESを用いた電圧印加オペランド測定のMOS構造における不純物濃度依存性の解析
〇箕輪 卓哉1、臼田 宏冶2、横川 凌2,3,4、小椋 厚志1,2 (1.明治大理工、2.明治大MREL、3.広島大RISE、4.広島大院先進理工)
[15a-K509-2]3次元フラッシュメモリ製造におけるRapid Thermal Annealを活用したウェハ反り制御技術の現象モデル化
〇田中 拓人1、田渕 統士1、土屋 隆紀1、松村 明1、山脇 秀之1 (1.キオクシア株式会社)
[15a-K509-4]スピンコート中の液膜流れの効率的予測法
〇(M1)山岡 晃太朗1、澤田 康一2、高嶋 太一2、髙木 義徳2、佐野 雄大3、猿渡 健2、池内 崇3、白鳥 英1 (1.都市大、2.株式会社SCREENホールディングス、3.株式会社SCREENアドバンストシステムソリューションズ)