講演情報
[15a-K509-2]3次元フラッシュメモリ製造におけるRapid Thermal Annealを活用したウェハ反り制御技術の現象モデル化
〇田中 拓人1、田渕 統士1、土屋 隆紀1、松村 明1、山脇 秀之1 (1.キオクシア株式会社)
キーワード：
3次元フラッシュメモリ、ON積層膜、ウェハ反り
社会のデジタル化が進み保存すべきデータ量が爆発的な勢いで増えている近年、3次元フラッシュメモリの大容量化がますます要求されている。大容量化の主要施策にワード線積層数を増やすことが挙げられるが副作用としてウェハが反り、製造プロセス過程で不良を引き起こすことが課題である。本研究ではRapid Thermal Annealによる「ウェハ反りの一時的凸化」現象のモデル化を目的にON積層膜のSiO2-SiN界面構造をX-Ray Reflectivityで調査分析した。