[15a-K509-1~6] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

10:30 〜 10:45

[15a-K509-3] 二段階堆積法を用いたSi(100)基板上への強誘電性HfN_x薄膜の形成に関する検討

〇濱田 海夢¹、Li Kangbai¹、大見 俊一郎¹ (1.科学大工)

キーワード：

窒化ハフニウム、ECRスパッタ法、二段階堆積法

本研究では、ECRスパッタ法により、Si(100)基板上に窒素組成を制御した初期層HfN_x堆積後、HfN_1.15を堆積する二段階堆積法を用い、HfN/Si(100)界面近傍の結晶性向上に関する検討を行った。従来のHfN_1.15単層で構成されたMFSダイオードと比較して、二段階堆積法を用いた場合、残留分極(2P_r)は400℃/5minの熱処理で6.10μC/cm²から6.74μC/cm²に増加した。