[15a-K509-1~6] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

11:15 〜 11:30

[15a-K509-6] 反応性分子動力学によるIV族半導体基板の酸化機構の解析

〇(M2)関口 賢太^1,2、大堀 大介²、遠藤 和彦²、徳増 崇² (1.東北大院工、2.東北大流体研)

キーワード：

IV族半導体材料、反応性力場分子動力学法、酸化