[15p-K101-1~9] 【一般公開】実装技術アラカルトⅡ：最先端半導体実装技術と将来展望

14:05 〜 14:35

[15p-K101-3] High Bandwidth Memory(HBM)におけるChip-Package Interaction

〇横井 直樹¹ (1.マイクロンメモリジャパン)

キーワード：

DRAM、HBM、High Bandwidth Memory

HBM(High Bandwidth Memory)はプロセッサとともにSiP(System in Package)に組み込まれる、高速、大容量、低消費電力のDRAM(Dynamic Random Access Memory)製品である。本講演では、HBMの特徴、構成、製造の概要を述べるとともに、主にシリコンウェーハプロセスの観点から、チップ積層時の外力の影響、熱負荷の制限、ウェハとチップの反りと言った、組み立て工程との相互作用(Chip–Package Interaction)に焦点を当て、HBMの製造における課題を議論する。