講演情報
[15p-K301-3]TMDC半導体トランジスタにおける高周波特性のゲート長依存性
〇植田 暁子1、今村 裕志1、吹留 博一2 (1.産総研、2.東北大通研)
キーワード：
高周波応用、遷移金属ダイカルコゲナイド、非平衡グリーン関数法
遷移金属ダイカルコゲナイド（TMDC）半導体を用いたトランジスタは、短チャネル化が可能であることから、THz領域でのRF応用が期待される。本研究では、極短ゲート長を持つMoS2トランジスタの高周波特性を、NEGF法とポアソン方程式を用いて調べた。トランジスタのチャネル長10 nmに固定し、ゲート長を変化させた場合、ゲート長1.7 nmのような極短なゲート長でも理想的にはTHz領域のカットオフ周波数が維持される。また、グラフェンをゲート電極とした時の最大周波数に関しても議論する。