2025年第72回応用物理学会春季学術講演会
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セッション詳細

一般セッション(口頭講演)17 ナノカーボン・二次元材料：17.3 層状物質

[15p-K301-1~12]17.3 層状物質

2025年3月15日(土) 15:45 〜 19:00
K301 (講義棟)
15:45 〜 16:00注目講演

[15p-K301-1]グラフェンFETのオンチップテラヘルツ測定

〇吉岡 克将1、Raphaël Mol1、若村 太郎1、橋坂 昌幸2、渡邊 賢司3、谷口 尚3、熊田 倫雄1 (1.NTT物性研、2.東大物性研、3.NIMS)
16:00 〜 16:15奨励賞エントリー英語発表

[15p-K301-2]Temperature Dependent Ultrafast Edge Photocurrent and Carrier Dynamics in WTe2 With On-chip THz Spectroscopy

〇(P)Subhashri Chatterjee1, Katsumasa Yoshioka1, Taro Wakamura1, Norio Kumada1 (1.NTT BRL, NTT Corp.)
16:15 〜 16:30

[15p-K301-3]TMDC半導体トランジスタにおける高周波特性のゲート長依存性

〇植田 暁子1、今村 裕志1、吹留 博一2 (1.産総研、2.東北大通研)
16:30 〜 16:45

[15p-K301-4]水吸蔵分子堆積層によるMoS2 FETの電荷注入障壁スイッチング

木井 浩喜1、〇野内 亮1,2 (1.大阪府立大工、2.大阪公立大工)
16:45 〜 17:00奨励賞エントリー

[15p-K301-5]強磁性電極の結晶化によるhBN磁気トンネル接合素子の特性向上

〇益田 純奨1、江本 暁1、深町 悟1、木村 崇2,3、吾郷 浩樹1,2 (1.九大院総理工、2.九大半導体セ、3.九大院理)
17:00 〜 17:15

[15p-K301-6]硫化モリブデン薄膜トランジスタの伝達特性の電極依存性

〇土田 正道1、李 柯澄1、許 誠浩1、清水 耕作1 (1.日大生産工)
17:30 〜 17:45奨励賞エントリー

[15p-K301-7]Ni含有二次元層状金属を用いたソース／ドレインコンタクト形成技術

〇堀 幸妃1,2、張 文馨1、入沢 寿史1、小椋 厚志2,3、岡田 直也1 (1.産総研 SFRC、2.明治大理工、3.明大MREL)
17:45 〜 18:00

[15p-K301-8]Te系コンタクトを用いたTMDC MOSFETsにおける電気的特性の熱安定性評価

〇張 文馨1、畑山 祥吾1、齊藤 雄太1,2、岡田 直也1、遠藤 尚彦3、宮田 耕充3、入沢 寿史1 (1.産総研SFRC、2.東北大、3.都立大)
18:00 〜 18:15奨励賞エントリー

[15p-K301-9]MOCVD成膜したMoS2極小単一粒のデバイス特性評価

〇渥美 圭脩1、李 曙紅1、西村 知紀1、金橋 魁利1、佐久間 芳樹2、長汐 晃輔1 (1.東大、2.NIMS)
18:15 〜 18:30

[15p-K301-10]NbドープWSe2を用いた同一結晶面内トンネルFET動作

〇金橋 魁利1、西村 知紀1、森戸 智2、上野 啓司2、長汐 晃輔1 (1.東大マテ工、2.埼玉大理工)
18:30 〜 18:45

[15p-K301-11]アミン系分子による縮退単層MoS2 MOSFETの安定性および接触抵抗の検討

〇小林 尭史1、桐谷 乃輔1 (1.東大院総合)
18:45 〜 19:00

[15p-K301-12]BN直接成膜技術を用いたGraphene/BN/Si積層構造平面型電子放出デバイスの開発

〇村上 勝久1、村田 博雅1、長尾 昌善1 (1.産総研)
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