講演情報
[15p-K301-4]水吸蔵分子堆積層によるMoS2 FETの電荷注入障壁スイッチング
木井 浩喜1、〇野内 亮1,2 (1.大阪府立大工、2.大阪公立大工)
キーワード：
二次元半導体、閾値電圧シフト、電荷注入障壁
層状結晶の剥離で得られる二次元材料は、ダングリングボンドの少ない基底面を有しており、表面への異種材料の積層により特性変調が可能である。そういった表面堆積層として、外場により変調を受ける系を用いれば、デバイス特性の動的な制御への道が拓ける。本講演では、永久双極子を有する分子堆積層が大気中の水分子を留めることで、多層MoS2電界効果トランジスタにおいて動的制御がなされた事例について議論する。