講演情報
[15p-K301-6]硫化モリブデン薄膜トランジスタの伝達特性の電極依存性
〇土田 正道1、李 柯澄1、許 誠浩1、清水 耕作1 (1.日大生産工)
キーワード：
二次元材料、硫化モリブデン、薄膜トランジスタ
二硫化モリブデン成膜時の背圧を2.0×10-4 Paにした場合の各電極の伝達特性と電極がTiの基板を水素化または酸素化した場合の伝達特性と電極がCuの基板に水素化または酸素化した場合の伝達特性を示す。どちらの電極もn型の特性が確認できた。Tiを電極に用いた場合、酸素化をしてもn型は確認できなかったが、Cuを用いた場合はp型の特性が確認できた。以上のことから、TiやCuの仕事関数によって伝達特性を調整することができた。