講演情報
[15p-K301-9]MOCVD成膜したMoS2極小単一粒のデバイス特性評価
〇渥美 圭脩1、李 曙紅1、西村 知紀1、金橋 魁利1、佐久間 芳樹2、長汐 晃輔1 (1.東大、2.NIMS)
キーワード：
MOCVD、MoS2、極小
近年，ガスソースを用いるMetal-Organic CVD (MOCVD)法による，ウエハスケールでの成膜および集積デバイスの研究が進展している．MOCVD膜は粉末ソースCVDに比べ移動度が低いことが課題であり，50 cm2/Vsを超えるデバイス移動度はまだ報告がない．移動度向上のための成膜条件最適化に向け，粒界を含む連続膜デバイスと，単一粒デバイスの特性比較が必要である．本発表では，EB描画により作製したMOCVD単一粒デバイスの作製と，その特性評価について報告する．