講演情報
[15p-K307-1]c-Al2O3基板上Mg3Bi2薄膜のエピタキシャル成長及び熱電特性評価
〇(D)鮎川 瞭仁1、栗山 武流1、根城 虹希1、鵜殿 治彦1、坂根 駿也1 (1.茨城大工)
キーワード：
熱電材料、Mg3Bi2、エピタキシャル成長
室温で利用可能な薄膜型熱電材料に向け、特にその低い熱伝導率に起因する高い熱電性能を示すMg3Bi2系材料が注目を集めている。しかし、Mg3Bi2はその大気不安定性からエピタキシャル薄膜の報告は少なく、正確な構造分析や物性評価に向けた大気安定性の付与が課題となる。本研究では、高性能な熱電材料応用に向けた、分子線エピタキシー法によるMg3Bi2のエピタキシャル成長とその熱電特性評価を目的とした。