講演情報
[15p-K307-2]Mg3Sb2薄膜への不純物ドーピングに向けたイオン注入法の検討
〇坂根 駿也1、鮎川 瞭仁1、切通 望1、栗山 武琉1、根城 虹希1、鵜殿 治彦1 (1.茨大工)
キーワード：
Mg3Sb2、ジントル相化合物、エピタキシャル成長
我々はこれまで、分子線エピタキシー（MBE）法によりサファイア基板上にMg3Sb2をエピタキシャル成長し、その熱電特性を評価してきた。本薄膜は高い移動度を示し、これまで報告されているMg3Sb2薄膜を上回る高い出力因子を得ることが分かった。そこで本研究では、Mg3Sb2薄膜における熱電特性の最適化を目指して、イオン注入を用いた不純物ドーピング法を確立することを目的とした。本講演ではイオン注入後の熱電物性に関して議論した内容を発表する。