講演情報
[15p-K307-8]実効温度差を用いた薄膜型熱電デバイスの特性補正
〇大久保 勇男1、村田 正行2、大井 暁彦1、Mariana S. L. Lima3、櫻井 岳暁3、相澤 俊1、森 孝雄1 (1.NIMS、2.産総研、3.筑波大)
キーワード：
熱電デバイス、薄膜
熱電半導体Mg2Sn0.8Ge0.2のエピタキシャル薄膜試料に微細加工を施すことにより、多数の微小なπ接合で構成された薄膜型熱電デバイスの作製に成功した。しかし、多数のπ接合を含んでいることから、各π接合での電気的・熱的な接触は一様ではなく、デバイス間での素子特性の比較が困難であった。そこで本研究では、実効温度差を考慮した熱電デバイス特性の補正手法の開発を試みた。