[15p-K310-1~9] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

14:00 〜 14:15

[15p-K310-1] 熱電応用に向けたMg-IV族混晶化合物の多結晶薄膜合成の検討

〇中島 丈範¹、石山 隆光¹、前田 真太郎¹、末益 崇¹、都甲 薫¹ (1.筑波大学)

キーワード：

熱電変換、多結晶薄膜

狭ギャップ半導体であるMg₂X（X = Si, Ge, Sn）は、室温下で比較的大きなゼーベック係数Sを有する環境調和型熱電材料として古くから注目されている。しかし、高い熱伝導率κが熱電特性向上のボトルネックとなっていた。我々はこれまでIV族混晶GeSiSn薄膜でκを低減し、高い熱電特性を実証してきた。今回、Mg₂（SiGeSn）の合成と熱電特性実証を最終目標とし、研究を行った。