セッション詳細
[15p-K310-1~9]15.5 IV族結晶,IV-IV族混晶
2025年3月15日(土) 14:00 〜 16:15
K310 (講義棟)
[15p-K310-1]熱電応用に向けたMg-IV族混晶化合物の多結晶薄膜合成の検討
〇中島 丈範1、石山 隆光1、前田 真太郎1、末益 崇1、都甲 薫1 (1.筑波大学)
[15p-K310-2]InGaAs薄膜の固相成長における堆積温度効果
〇(B)清野 碩1、野沢 公暉1、Seo Jisol1、末益 崇1、都甲 薫1 (1.筑波大)
[15p-K310-3]高圧下における非晶質Ge/SiO2の金属誘起横方向成長
〇(B)光永 尚人1、菊本 翔太1、中原 大葉1、野中 華輝1、高倉 健一郎1、角田 功1 (1.熊本高等専門学校)
[15p-K310-4]多層固相成長によるpチャネルGeSn薄膜トランジスタの移動度向上
〇前田 真太郎1,2、茂藤 健太3、黄 林昱3、森本 敦己3、山本 圭介3、末益 崇1、都甲 薫1 (1.筑波大院、2.学振特別研究員、3.九州大院)
[15p-K310-5]高濃度𝒏型ドーピングに向けたⅢ/Ⅴ族共添加 Ge 結晶の成長
〇(M1C)石津 岳1、古藤 良翔1、母良田 友1、川端 勇士1、佐々木 祐太1、石川 靖彦1、山根 啓輔1 (1.豊橋技科大)
[15p-K310-6]Si(001)基板上Si1−xSnxエピタキシャル成長に堆積速度が及ぼす影響
〇伊藤 創生1、柴山 茂久1、坂下 満男1、黒澤 昌志1、中塚 理1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)
[15p-K310-7]Ge0.5Sn0.5エピタキシャル成長とGe−Sn秩序結合形成の兆候
〇柴田 海斗1、柴山 茂久1、坂下 満男1、黒澤 昌志1、中塚 理1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)
[15p-K310-8]Si(110)ウエハー上に成膜したSiGe薄膜の表面形状への基板傾斜の影響
〇(B)藤本 雄太1、横田 もなみ1、和田 直之2、鈴木 陽洋2、松川 和人2、松本 光二2、山本 博昭2、原 康祐1、山中 淳二1、有元 圭介1 (1.山梨大クリスタル研、2.株式会社SUMCO)
[15p-K310-9]貼り合わせ法を用いたGOI基板上LEDの作製と発光特性評価
〇横木 亮河1、相川 茉由1、今井 広1、澤野 憲太郎1 (1.都市大)