[15p-K310-1~9] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

14:15 〜 14:30

[15p-K310-2] InGaAs薄膜の固相成長における堆積温度効果

〇(B)清野 碩¹、野沢 公暉¹、Seo Jisol¹、末益 崇¹、都甲 薫¹ (1.筑波大)

キーワード：

半導体、結晶成長

本研究では、高移動度多結晶IV族材料の合成手法として有力な固相成長法（SPC法）をInGaAsに適用し、高い電子移動度（μ_n）を有する多結晶InGaAs薄膜合成を目指した。その結果、InGaAs薄膜の堆積温度（T_d）が重要なパラメータであることを明らかにするとともに、高圧下でのSPC（HP-SPC）により低温熱処理で高いμ_nを実現した。