講演情報
[15p-K310-8]Si(110)ウエハー上に成膜したSiGe薄膜の表面形状への基板傾斜の影響
〇(B)藤本 雄太1、横田 もなみ1、和田 直之2、鈴木 陽洋2、松川 和人2、松本 光二2、山本 博昭2、原 康祐1、山中 淳二1、有元 圭介1 (1.山梨大クリスタル研、2.株式会社SUMCO)
キーワード：
SiGe、Si(110)
ナノシート型トランジスタでは正孔移動度の向上が求められている。Si(110)基板の利用は解決策の一つとして挙げられるが、Si(110)基板上に平坦なSiGeを形成することは困難であることが知られている。特に、菱形形状の開口を持つピットがしばしば発生し、その抑制が重要である。本研究では、Si(110)基板上に形成されたSiGe上のピットの形成状況と基板表面方位の傾斜との関係について調べた。