[15p-K501-1~12] 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

13:15 〜 13:30

[15p-K501-2] フェムト秒レーザ誘起周期構造を用いたシリコン薄膜の熱伝導率制御

〇金 ビョンギ^1,2、半間 大基¹、伏信 一慶¹、野村 政宏² (1.科学大、2.東大生研)

キーワード：

レーザ誘起表面周期ナノ構造、熱伝導率、フェムト秒レーザ