[15p-K503-1~15] 6.1 強誘電体薄膜

13:00 〜 13:15

[15p-K503-1] FeRAM用Pb(Zr,Ti)O₃ 薄膜における抗電界の膜厚依存性

〇恵下 隆¹、王 文生、中村 亘¹、及川 光彬¹、佐藤 のぞみ¹、彦坂 幸信¹、渡邉 純一¹、齋藤 仁¹、永井 孝一¹ (1.RAMXEED)

キーワード：

強誘電体メモリ、チタン酸ジルコン酸鉛、抗電界

我々は、FeRAMの低電圧化（5 Vから1.8 V）のために、チタン酸ジルコン酸鉛（PZT）系強誘電体を150 nmから75 nmへ薄膜化してきた。先行研究では，PZTを薄くすると抗電界(E_c)が増加する実験結果とその理論的な説明がなされていた。我々が行ったPZTの薄膜化ではEcの増加は見られなかった。PZT・電極界面での相互拡散抑制などの界面制御を行っており、これが薄膜化によるE_cの増加を抑制したと考えられる。