セッション詳細
[15p-K503-1~15]6.1 強誘電体薄膜
2025年3月15日(土) 13:00 〜 17:00
K503 (講義棟)
吉田 慎哉(芝浦工大)、 江原 祥隆(防衛大学校)
[15p-K503-1]FeRAM用Pb(Zr,Ti)O3 薄膜における抗電界の膜厚依存性
〇恵下 隆1、王 文生、中村 亘1、及川 光彬1、佐藤 のぞみ1、彦坂 幸信1、渡邉 純一1、齋藤 仁1、永井 孝一1 (1.RAMXEED)
[15p-K503-3]Water-soluble CaO sacrificial layer heteroepitaxially grown on yttria-stabilized zirconia substrate for large ferroelectric BaTiO3 sheets
〇(D)Weikun Zhou1, Diwen Chen1, Ren Mitsuya1, Hiromichi Ohta2, Tsukasa Katayama2,3 (1.IST-Hokkaido Univ., 2.RIES-Hokkaido Univ., 3.JST-PRESTO)
[15p-K503-4]光で大きく速く繰り返し変形するBiFeO3自立膜
〇(M1C)三津谷 怜1、周 瑋琨1、田口 敦清2、太田 裕道2、片山 司2,3 (1.北大院情報、2.北大電子研、3.JST さきがけ)
[15p-K503-5]帯電材料カリウムイオンエレクトレットにおけるSiO5構造の負電荷蓄積機構と検出方法の理論的解析
〇(M2)桐越 大貴1、大畑 慶記1、洗平 昌晃1,2、石黒 巧真3、三屋 裕幸3、年吉 洋4、橋口 原5、白石 賢二1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.鷺宮製作所、4.東大生産研、5.静大院工)
[15p-K503-6]大気圧40 ºC合成した自己分極(001)配向正方晶強誘電体エピタキシャル薄膜の作製とその特性評価
〇古賀 彩月1、胡 雨弦1、白石 貴久2、岡本 一輝1、舟窪 浩1 (1.科学大、2.熊本大学)
[15p-K503-9]Temperature dependence of crystal structure of epitaxial KNN thin films on Si
〇(M2)JINGWEI HE1, Sang Hyo Kweon1, Isaku Kanno1 (1.Kobe Univ.)
[15p-K503-10]強誘電性ペロブスカイト型RbTaO3薄膜作製の検討
〇増田 達也1、増田 歩1,2、山本 文子3、安井 伸太郎2、濵嵜 容丞4、江原 祥隆4、伊藤 満2、森分 博紀1,2 (1.JFCC、2.科学大、3.芝浦工大、4.防衛大)
[15p-K503-12]マルチフェロイックBiFe₀.₉Co₀.₁O₃薄膜を用いた面内電場印加デバイスの開発
〇(D)前田 慶1、Lee Koomok1、松浦 伊吹1、中山 創1、重松 圭1,2、東 正樹1,2 (1.東京科学大学総合研究院、2.KISTEC)
[15p-K503-13]イオンビームアシストスパッタによるc軸平行ZnO四層分極反転共振子の作製
〇浴田 航平1,2、島野 耀康1,2、柳谷 隆彦1,2 (1.早大先進理工、2.材料技術研究所)
[15p-K503-14]非鉛圧電薄膜を用いた磁界応答型MEMS振動子による無線給電
〇(B)藤原 輝羅1、Sengsavang Aphayvong1、高城 明佳1、藤林 世覇音1、村上 修一2、山根 秀勝2、藤村 紀文1、吉村 武1 (1.阪公大工、2.大阪技術研)
[15p-K503-15]BiFe(1-x)MnxO3薄膜を用いたニューロモルフィックMEMS音響センサ
〇(M1)高城 明佳1、Aphayvong Sengsavang1、藤林 世覇音1、藤原 輝羅1、村上 修一2、山根 秀勝2、藤村 紀文1、吉村 武1 (1.阪公大工、2.大阪技術研)