[15p-K503-1~15] 6.1 強誘電体薄膜

16:00 〜 16:15奨励賞エントリー

[15p-K503-12] マルチフェロイックBiFe₀_.₉Co₀_.₁O₃薄膜を用いた面内電場印加デバイスの開発

〇(D)前田 慶¹、Lee Koomok¹、松浦 伊吹¹、中山 創¹、重松 圭^1,2、東 正樹^1,2 (1.東京科学大学総合研究院、2.KISTEC)

キーワード：

マルチフェロイック材料、薄膜、超低消費電力デバイス

情報通信量の増加に伴う半導体メモリの高電力消費問題の解決策として、室温で強誘電性と弱強磁性を併せ持つBiFe₀.₉Co₀.₁O₃ (BFCO)が注目されている。従来の面直電場を利用したデバイス構造では、センサーなどへの干渉が課題となり、実用化に制約があった。そこで本研究では、面内電場を用いる新しいデバイス構造を作成し、その強誘電特性と磁気特性を評価した。