[15p-K503-1~15] 6.1 強誘電体薄膜

16:15 〜 16:30奨励賞エントリー

[15p-K503-13] イオンビームアシストスパッタによるc軸平行ZnO四層分極反転共振子の作製

〇浴田 航平^1,2、島野 耀康^1,2、柳谷 隆彦^1,2 (1.早大先進理工、2.材料技術研究所)

キーワード：

ZnO、イオンビーム

c軸が基板に対して平行に成長したZnO薄膜は純粋な厚みすべりモードで励振する。圧電層に分極反転多層構造を用いることで層数を増やすほど音響エネルギーを閉じ込めることができる。本研究ではSiO₂/Ta(3ペア)からなる音響ブラッグ反射器上にイオンビームアシストスパッタにより4層分極反転c軸平行ZnO共振子を作製した。4層からなる分極反転層により1.2 GHz付近で共振ピークが得られ、高次モード駆動が確認できた。