[15p-K503-1~15] 6.1 強誘電体薄膜

13:15 〜 13:30

[15p-K503-2] 分極反転抗電界の掃引周波数依存性：EKAIモデルによる記述

〇酒井 滋樹^1,2、高橋 光恵¹ (1.産総研、2.九工大)

キーワード：

強誘電体、分極反転

強誘電体分極反転の過渡応答特性の理解はメモリデバイス応用にとって重要であり、我々は拡張KAI（Extended Kolmogorov-Avrami-Ishibashi, EKAI）モデルを提唱してきた。金属／強誘電体／金属キャパシタの分極―電界（P-E）ヒステリシス曲線は、固定の理想曲線は存在せず、測定条件によって変動する。EKAIモデルに基づきP-E曲線の抗電界が掃引電界周波数によって変化する様子を解析・数値計算両手法によって明らかにする。