[15p-K503-1~15] 6.1 強誘電体薄膜

14:30 〜 14:45

[15p-K503-7] Nb添加エピタキシャルPb(Zr,Ti)O₃薄膜の圧電特性評価

〇山本 郁仁¹、權 相曉¹、神野 伊策¹ (1.神戸大工)

キーワード：

圧電性、強誘電性、Nb添加

PZTのBサイトを一部Nbに置換することによって、圧電性および長期信頼性が向上することが報告されている。しかしながら、Nb添加による結晶構造の変化と圧電性の関係については不明な点が多い。本研究では、Si基板上に形成したc軸配向エピタキシャルPZT薄膜にNbを添加し、その結晶構造と強誘電性および圧電性の関係を調べた。