セッション詳細
[15p-K509-1~7]13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション
2025年3月15日(土) 13:30 〜 15:15
K509 (講義棟)
[15p-K509-1][第57回講演奨励賞受賞記念講演] 任意の結晶方位を有する半導体ナノシートにおける電子移動度のモンテカルロシミュレーション
〇岡田 丈1、田中 一1、森 伸也1 (1.大阪大学)
[15p-K509-2]Si—Geヘテロ構造体内のLiイオン拡散速度についての第一原理計算
〇小泉 健一1、河野 芳輝1 (1.株式会社トクヤマ)
[15p-K509-3]H終端化されたSi原子層リボンの理論解析
―電子状態のリボン構造依存性―
〇(P)李 君寰1、稲垣 耕司1、有馬 健太1 (1.阪大院工)
[15p-K509-4]Atomic Insight for Regulation of Interfacial Thermal Transport Between Si and AlN via Machine Learning Potential
〇(D)Wang Weitao1, Yunhui Wu1, Sebastian Volz1, Masahiro NOMURA1 (1.The Univ. of Tokyo)
[15p-K509-5]MOSFETの基板不純物が作るランダムポテンシャルの数値解析
〇加藤 薫1、田中 一1、森 伸也1 (1.阪大工)
[15p-K509-6]セルオートマトン法ドリフト速度計算-異方性と角度分割
〇福田 浩一1、服部 淳一1 (1.産総研 SFRC)
[15p-K509-7]積層したナノシートトランジスタのTCADシミュレーション解析
〇LIU YICHENG1、LIM JIN HYONG1、田中 一1、森 伸也1 (1.阪大院工)