講演情報
[15p-K509-5]MOSFETの基板不純物が作るランダムポテンシャルの数値解析
〇加藤 薫1、田中 一1、森 伸也1 (1.阪大工)
キーワード：
MOSFET、サブスレッショルド係数、低温
ガウス型のランダムポテンシャルを仮定した場合，2次元電子ガス(2DEG)の空間平均した状態 密度の低エネルギー側に指数関数型のテールが現れる．本研究では，MOSFETにおけるランダ ムポテンシャルの起源の一つと考えられる，基板不純物が作るポテンシャルV2D(x,y)とそのポテ ンシャルが2DEG状態に与える影響とを数値計算を用いて解析した．