講演情報
[15p-P05-14]ESM法を用いたSiC(0001)面上多層グラフェンの仕事関数の計算
〇(M1C)久保 麿大1、Seo Insung1、影島 博之1 (1.島根大院自然科学)
キーワード：
グラフェン、仕事関数、SiC
本研究では、SiC上グラフェンについて、近年開発されたESM（Effective Screening Medium）法を用いることで、基板とグラフェン界面の影響をより精密に評価することを目的として研究を行った。その結果、２層の仕事関数は4.32eVとなり、層が増えるにつれて仕事関数は大きくなっていった。