講演情報
[15p-P05-19]フッ化グラフェンの電荷捕獲機構の考察
-プラズマを用いたCVDグラフェンのフッ化とその構造-
〇大井川 惇允1、桐原 芳治1、眞下 航平1、野平 博司1、石川 亮佑1、三谷 祐一郎1 (1.東京都市大学)
キーワード：
グラフェン、フッ化
2次元材料のグラフェンにフッ化処理を行うと、導体膜から絶縁膜へと変化する。これを利用して、フッ化グラフェンを電荷捕獲層とした不揮発性メモリが提案され性能実証されている。しかし、どのようにフッ素がグラフェンに結合し、どのように電荷捕獲がされているのかの詳細は解明されていない。我々はこれまでの検討からグラフェンの粒界部分の炭素未結合手、欠陥部分の炭素未結合手、π結合網を形成する炭素結合手のいずれかにフッ素が結合し電荷蓄積層として機能していると考えた。そこで本研究ではフッ化グラフェンの電荷捕獲機構解明に向けて、結晶粒径の異なるグラフェンを用いてプラズマでフッ化し、物理分析からフッ素の結合箇所や構造について検討した。