講演情報
[15p-P05-21]人工ヘテロ構造デバイスの高分解能マイクロARPES
〇山本 晃輝1、柳沢 幸紀1、菅原 克明1,2,3、小倉 宏斗2,4、加藤 俊顕2,4、渡邉 賢司5,6、谷口 尚5,6、小澤 健一7、高橋 隆1、佐藤 宇史1,2,8,9,10 (1.東北大院理、2.東北大 WPI-AIMR、3.JST-PRESTO、4.東北大院工、5.NIMS、6.NIMS-MANA、7.高エ研物構研、8.東北大CSIS、9.東北大SRIS、10.東北大MathCSS)
キーワード：
グラフェン、電界効果トランジスタ、ARPES
本研究では、原子層物質を基本とした電界効果トランジスタ(FET)デバイスの作製と高分解能マイクロARPESによるFETデバイスの電子状態解析を行った。SiO2/Si半導体基板上に20μm程度の大きさを持つ人工ヘテロ構造を直接転写しFETデバイスを作製した。空間分解ARPESによってFETデバイス上の人工ヘテロ構造の位置を特定するとともに、人工ヘテロ構造のバンド構造の直接観測に成功したので、その結果について報告する。