講演情報
[15p-P05-28]回転積層多層グラフェン/n-Siショットキー接合デバイスにおける光起電力特性
〇任 皓駿1、寺岡 真裕1 (1.弘大理工)
キーワード：
回転積層多層グラフェン、光発電デバイス
回転積層多層グラフェン（rotationally faulted Multi-Layer Graphene, rf-MLG）は高い幾何的強度を持ちながら単層グラフェンのような特性を有し、多くの注目を集めている。 本研究では、PMMAフリーの転写方法を用いてrf-MLG/n-Siショットキー接合光デバイスを作製し、その光発電デバイスとしての可能性を調べた。その結果、単層グラフェンを用いたデバイスに匹敵する光起電力特性を示し、光発電デバイスとしての可能性を十分に示している。