講演情報
[15p-P05-33]4配位固体モリブデン前駆体を用いた二硫化モリブデン薄膜の原子層堆積成長
〇中山 皓太1、リム ホンエン1、上野 啓司1 (1.埼玉大院理工)
キーワード：
遷移金属ダイカルコゲナイド、原子層堆積法、二硫化モリブデン
二硫化モリブデン（MoS2）は，その優れた電気的特性が注目され，デバイス応用に向けた研究が盛んに行われている．MoS2薄膜の成長手法として，原子層堆積（ALD）法が挙げられる．本研究では，反応性の高い4配位固体モリブデン前駆体を用いたALD法により，200 ºCでMoS2薄膜の成長を試みた．さらに，1サイクル中の硫黄（S）前駆体の供給回数とALDサイクル数の調整による，MoS2薄膜の結晶性向上も試みた．