[15p-P05-1~62] 17 ナノカーボン・二次元材料（ポスター）

[15p-P05-34] Au/SiO₂界面へのMoS₂薄膜直接成長

〇猿田 将大¹、上野 啓司¹、リム ホンエン¹ (1.埼玉大院理工)

キーワード：

遷移金属ダイカルコゲナイド、化学気相成長法、二硫化モリブデン

二硫化モリブデンは、ダングリングボンドのない平滑な表面をもち、単層でバンドギャップ約1.8eVの直接遷移型半導体となることからデバイス応用研究が盛んである。しかし従来のデバイス作製手法の多くは薄膜を成長させた後に電極を作製しており、フォトレジストによる汚染や電極形成時の損傷などによるデバイス性能の低下が懸念される。本研究では、Au/SiO₂界面にMoS₂薄膜を直接成長させ、清浄な界面と高品質な薄膜を形成することを目指した。