講演情報
[15p-P05-35]銅電極ギャップ間への二硫化タングステン薄膜選択成長
〇飛田 龍星1、リム ホンエン1、上野 啓司1 (1.埼玉大院)
キーワード：
領域選択的成長、原子層堆積法、遷移金属ダイカルコゲナイド
遷移金属ダイカルコゲナイド（TMDC）の1つであり, 層状物質である二硫化タングステン（WS2) の原子層堆積（ALD）法による成長において, 薄膜を成長させる基板表面に微小な金属膜を堆積させることで膜成長が促進されることが報告されている. そこで本研究では, 基板上にCu薄膜を近接して堆積させ, Cu薄膜間の微小ギャップ内にWS2薄膜を領域選択的にALD成長させ, その導電性物性の評価を試みた.