講演情報
[15p-P05-37]サファイア基板上に蒸着したFeNi膜を用いたh-BNのCVD成長
〇金井 拓海1、神垣 玲央1、橋本 恵里1、奥田 崚太2、渡辺 剛志1、黄 晋二1 (1.青学大理工、2.AGC 株式会社)
キーワード：
六方晶窒化ホウ素、化学気相成長、サファイア基板
六方晶窒化ホウ素 (h-BN) は、絶縁性、高い熱伝導性、化学的安定性を有している。また、グラフェンと基板の間に挿入することで、グラフェンが本来持つ優れた電気特性を実現できることが報告されている。本研究では、単結晶サファイア基板にB、Nの固溶度が高いFeNi合金を蒸着し、化学気相成長 (CVD) 法を用いてFeNi蒸着膜とサファイア基板の界面にh-BNを成膜する技術について取り組んだ。