講演情報
[15p-P05-4]単層カーボンナノチューブのナノリング起源カイラリティ制御成長
〇畠山 力三1、上野 裕2,3、權 垠相3、美齊津 文典3 (1.東北大未来科学技術、2.東北大学際科学、3.東北大理)
キーワード：
単層カーボンナノチューブ、カイラリティ制御、臨界プラズマプロセシング
単層カーボンナノチューブ(SWNT)の究極課題である側壁構造・カイラリティ(n, m)の制御を目指し、(n, n) SWNTの最小構成単位分子のカーボンナノリング([n]CPPs, n=6~12)に対して、低温成長を期待できるプラズマプロセシング法(PPCT)を駆使した。
その結果、成長促進炭素源の堆積と成長阻害物質のエッチング間の平衡状態を維持する臨界温度でのPPCTにより、従来に最も低い温度の350 ℃下で、near (10, 10)と(12, 12) 金属性SWNTs各々の単一カイラリティ成長を初めて実現した。
その結果、成長促進炭素源の堆積と成長阻害物質のエッチング間の平衡状態を維持する臨界温度でのPPCTにより、従来に最も低い温度の350 ℃下で、near (10, 10)と(12, 12) 金属性SWNTs各々の単一カイラリティ成長を初めて実現した。