講演情報
[15p-P05-56]WOx/WSe2ヘテロ構造における抵抗変化メモリ特性の評価
〇(M1)福島 脩平1、Che-Yi Lin2、稲田 貢1、上野 啓司3、Yen-Fu Lin2、山本 真人1 (1.関西大院理工、2.国立中興大学、3.埼玉大院理工)
キーワード：
抵抗変化メモリ、二次元物質
抵抗変化メモリ(ReRAM)は酸化物などの薄膜を電極で挟み込んだ二端子不揮発メモリであり、高速かつ低電圧で動作可能なことから次世代の超低消費電力コンピューティングへの応用が期待されている。近年、二次元層状物質であるPdSe2とその表面に形成した酸化膜PdSeOxとのヘテロ構造を抵抗変化層に用いることで、低電圧かつ安定なReRAM動作が可能なことが報告されている。本研究では、二次元WSe2を酸素プラズマ処理することでWOx /WSe2ヘテロ構造を作製し、そのReRAMへの応用可能性を調査した。