講演情報
[15p-P09-1]ナノサイズ電極形成に向けたHSQエッチバックプロセスのエッチングレート制御
〇藤井 健志1、藤井 香里1、陳 国海1、山田 健郎1 (1.産総研)
キーワード：
HSQ、エッチバック
カーボンナノチューブを用いたRAM（CRAM）などの2端子素子では100 nm以下のナノサイズ電極がその動作に必要であり、実験室レベルでの簡易なナノサイズの電極形成手法としてHSQを用いたエッチバックプロセスがある。しかし、HSQのエッチングレートはHSQの結晶性に大きく依存し、形成される電極形状に大きく影響する。そこで、今回、HSQの加熱による結晶性の変化とエッチングレートの関係について検討を行った結果、HSQの加熱により、SiO2への結晶構造変化が促進され、その結果、エッチングレートが低減ていることが分かった。