セッション詳細
[15p-P09-1~2]13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術
2025年3月15日(土) 16:00 〜 18:00
P09 (森戸記念体育館)
[15p-P09-1]ナノサイズ電極形成に向けたHSQエッチバックプロセスのエッチングレート制御
〇藤井 健志1、藤井 香里1、陳 国海1、山田 健郎1 (1.産総研)
[15p-P09-2]エピタキシャル成長したSi0.7Ge0.3およびSi薄膜におけるH2希釈CF4ガスによるドライエッチング -基板温度依存性-
〇尾崎 孝太朗1、佐分利 伊吹2、堤 隆嘉3、石川 健治3、Yamamoto Yuji4、Wen Wei-Chen4、牧原 克典1 (1.名大院工、2.名大工、3.名大低温プラズマ、4.IHP)