[15p-P09-1~2] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[15p-P09-2] エピタキシャル成長したSi_0.7Ge_0.3およびSi薄膜におけるH₂希釈CF₄ガスによるドライエッチング -基板温度依存性-

〇尾崎 孝太朗¹、佐分利 伊吹²、堤 隆嘉³、石川 健治³、Yamamoto Yuji⁴、Wen Wei-Chen⁴、牧原 克典¹ (1.名大院工、2.名大工、3.名大低温プラズマ、4.IHP)

キーワード：

低温エッチング