セッション詳細
[15p-P10-1~4]13.5 デバイス／配線／集積化技術
2025年3月15日(土) 16:00 〜 18:00
P10 (森戸記念体育館)
[15p-P10-1]Cryo-CMOS向け超伝導Nb膜の酸化機構の解析
〇小川 瑞月1、林 凌佑1、押尾 世文1、安達 和喜1、田中 貴久1、多田 宗弘1 (1.慶大理工)
[15p-P10-2]次世代配線材料としてのRu薄膜の特性評価と密着性改善
〇(B)林 凌佑1、小川 瑞月1、押尾 世文1、安達 和喜1、田中 貴久1、多田 宗弘1 (1.慶大理工)
[15p-P10-3]無電解めっきによるCoMn拡散バリア膜形成の検討
〇新宮原 正三1、石井 優子1、濱村 尚伸1、清水 智弘1、伊藤 健1 (1.関西大システム理工)
[15p-P10-4]ヨウ化銅（I）を原料とするCVD法によるビアホールの選択埋め込み
〇難波 拓生1、宮本 裕1、山内 智1 (1.茨城大工)