[15p-P11-1~14] 13.8 光物性・発光デバイス

[15p-P11-2] InP/Si基板上歪量子井戸構造の光学特性評価

〇(B)ホルト 瑞樹¹ (1.上智大理)

キーワード：

半導体

InP薄膜とSi基板の貼付時に発生するボイドの影響を考慮した、フォトルミネッセンス（PL）測定による歪量子井戸構造の光学特性。