[15p-P11-1~14] 13.8 光物性・発光デバイス

[15p-P11-4] ミストCVD法によるZnO膜の紫外発光強度に及ぼす基板温度勾配の影響

〇船木 孝平¹、都竹 悠平¹、藤沢 晃¹、深田 晴己¹、山口 敦史¹ (1.金沢工業大学)

キーワード：

ミストCVD、基板温度、ZnO

ファインチャネル方式とホットウォール方式を組み合わせた研究室独自のミストCVD装置を用いた各種酸化物薄膜の開発において、成膜時に基板上へ実際に到達しているミストの量を計測（数値化）する技術を見出した。さらに、基板上の反応空間に温度勾配を意図的に設けることで、ZnO膜からの紫外発光強度を飛躍的に向上させることに成功した。