[15p-P12-1~40] 21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」（ポスター）

[15p-P12-14] ZnとNを共添加したZnO膜の電気特性評価

〇大森 陽生¹、ハク アブラウル¹、舩木 修平¹、山田 容士¹ (1.島根大学)

キーワード：

酸化亜鉛、窒素添加、p型

pn接合デバイスに用いられているITOの代替材料として酸化亜鉛(ZnO)が注目されている。しかし、ZnOにアクセプターを添加しても、ドナー性欠陥が生成されるため、p型ZnOの作製は困難である。一方、p型ZnOの作製には、アクセプターとドナーの共添加による複合欠陥の導入が有効であるという報告もある。本研究では、アクセプターとドナーの共添加がZnOの結晶にどのような変化を及ぼすのかを調査した。